Ультразвуковое режущее устройство или ультразвуковой гравер является ручным инструментом, который предназначен для передачи на элемент для резки (нож) ультразвуковых колебаний. Гравер имеет корпус, внутри которого находится пьезоэлектрический преобразователь связанный механически с режущим инструментом, электроды преобразователя соединены через кабель с генератором, который выдает ультразвуковую частоту. Применяется ультразвуковое режущее устройство для резки хрупких материалов, дерева, ручной обработки камней, металла, материалов из стекла, для операций по финишной обработке штампов, пресс форм, полировки изделий из драгоценного камня и др.

(Далее…)

   Процесс плазменной резки, по сути, представляет собой локальное расплавление материала непосредственно в месте разреза высокотемпературной плазменной дугой и последующего удаления (выдувания) жидкого расплавленного металла скоростным газовым потоком. Два этих процесса не подразделяются на фазы и происходят одновременно. В целом, принципы действия оборудования плазменной резки и газокислородной похожи. И в том и в другом случае принцип действия заключается в местном нагреве с последующим удалением расплавленного металла с линии резки. Однако при плазменной резки обеспечивается гораздо более высокая температура, что и даёт этому способу обработки металлов уникальные свойства. Условия, при которых возможно формирование и поддержание плазменной дуги, создаются специальным устройством - плазмотроном. Основная функция плазмотрона заключается в «обжатии» обыкновенной электрической дуги потоком газа под давлением.

(Далее…)

  Диффузионные процессы происходят при отклонении системы от термодинамического равновесия, которое может быть вызвано неравномерным распределением атомов примеси или легирующих элементов, неравномерным распределением концентрации вакансий и т.д. Для того чтобы вызвать перемещение атома в кристаллической решетки, ему необходимо получить дополнительную энергию, называемую энергией активации. Любой фактор , который увеличивает исходную энергию атома, способствует  уменьшению энергии активации диффузии. Атомы, находящиеся на поверхности кристалла, имеют меньшую связь со своими соседями, их энергия активации минимальная. В результате перемещения атомов образуются дислоцированные атомы и вакансии. Образование дислоцированного атома  связанного со значительными искажениями кристаллической решетки, что способствует ускорению  процесса диффузии.

(Далее…)